Способ уменьшить энергопотребление TFT- дисплея

Описание проекта

Тонкопленочные транзисторы (TFT) являются важными компонентами плоских дисплеев, которые формируются на стеклянной или пластиковой подложке. Как правило, пленочные транзисторы используются в качестве элементов управления активной матрицей во многих ЖК-, OLED- и электрофоретических дисплеях (EPD). Эта технология очень популярна, благодаря высокой подвижности носителей заряда оксидного полупроводника, которая больше в 20-30 раз, чем у обычных тонкопленочных транзисторов. Следовательно, возможно повысить скорость заряда/разряда TFT до пиксельных электродов, тем самым повысить скорость отклика пикселей и реализовать более высокую скорость обновления. В обычной оксидной полупроводниковой TFT-подложке оксидный полупроводниковый слой непосредственно контактирует с истоком/стоком и между ними образуются электрическое соединение. Однако контактное омическое сопротивление между оксидным полупроводниковым слоем и истоком/стоком, а также между слоем пиксельного электрода и истоком/стоком составляет некоторую величину, что приводит к повышению управляющего напряжения, более высокой потребляемой мощности и меньшей скорости отклика плоского дисплея.

В патенте на изобретение US20180166471 компании CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY предлагается создание оксидной полупроводниковой TFT-подложки со сниженным энергопотреблением и повышенной скоростью отклика.

Суть изобретения

Для решения задач авторами изобретения предлагается оксидная полупроводниковая TFT-подложка, включающая в себя подложку, затвор и первый сильно легированный прозрачный проводящий слой, сформированный на подложке и покрытый изолирующим слоем затвора. На изолирующем слое затвора последовательно образованы оксидный полупроводниковый слой и слой стоп-травления с двумя боковыми частями оксидного полупроводникового слоя, окруженных слоем стоп-травления. Исток и сток образованы на двух боковых частях оксидного полупроводникового слоя, электрически соединенными с высоколегированным прозрачным проводящим слоем между ними. Защитный слой образуется на истоке и стоке и со сквозным отверстием. Пиксельный электрод проходит через отверстие, чтобы электрически подключаться к истоку и стоку с сильно легированным прозрачным проводящим слоем, расположенным между ними и находящимся в непосредственном контакте с ними.

Получаемый результат

В соответствии с представленной оксидной полупроводниковой TFT-структурой и путем размещения сильно легированных прозрачных проводящих слоев на поверхностях истока/стока, контактное омическое сопротивление между оксидным полупроводниковым слоем и истоком/стоком, а также между слоем пиксельного электрода и истоком/стоком могут быть уменьшены. Тем самым снижается пороговое напряжение и, следовательно, потребляемая мощность плоского дисплея, что, в конечном счете, приводит к увеличению скорости отклика дисплея.

 Полный текст патента можно скачать здесь

Хотите знать больше? Закажите бесплатный тестовый патентный поиск по интересующей вас теме.

В ответ на запрос вы получите:

• Количество патентов в мире за 10 лет
• Динамика патентования по годам и странам
• Перечень технических задач, решаемых в патентах
• Примеры компании и их новейших разработок

Скачать пример отчета вы можете здесь 
Заказать патентные исследования можно здесь
Получить патент на свое изобретение здесь